Hersteller Produktnummer:
TSM120NA03CR RLG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM120NA03CR RLG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 39A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventar:
12894492
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TSM120NA03CR RLG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.7mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
562 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PDFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
TSM120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TSM120NA03CR RLGTR-DG
TSM120NA03CRRLGCT
TSM120NA03CRRLGDKR
TSM120NA03CR RLGDKR-DG
TSM120NA03CR RLGDKR
TSM120NA03CR RLGTR
TSM120NA03CR RLGCT-DG
TSM120NA03CRRLGTR
TSM120NA03CR RLGCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSC120N03MSGATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
28843
TEILNUMMER
BSC120N03MSGATMA1-DG
Einheitspreis
0.19
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